常见的静电放电模式：

　　1. HBM，人体放电模型，即带电人体对器件放电，导致器件损坏。放电途径为：人体——器件——地。

　　2．MM，机器模型，即带电设备对器件放电，导致器件损坏。放电途径为：机器——器件——地。

　　3．CDM，带电器件模型，即带电器件直接对敌放电。放电途径为：器件——地。

　　4．FICDM,感应放电模型，即器件感应带电后放电。途经：电场——器件带电——地。

　　1.HBM：Human Body Model，人体模型：

　　该模型表征人体带电接触器件放电，Rb 为等效人体电阻，Cb 为等效人体电容。等效电路如下图。图中同时给出了器件 HBM 模型的 ESD 等级。

　　ESD人体模型等效电路图及其ESD等级

　　2.MM：Machine Model，机器模型：

　　机器模型的等效电路与人体模型相似，但等效电容(Cb)是 200pF，等效电阻为 0，机器模型与人体模型的差异较大，实际上机器的储电电容变化较大，但为了描述的统一，取 200pF。由于机器模型放电时没有电阻，且储电电容大于人体模式，同等电压对器件的损害，机器模式远大于人体模型。

　　ESD机器模型等效电路图及其ESD等级

　　3.CDM：Charged Device Model，充电器件模型：

　　半导体器件主要采用三种封装型式(金属、陶瓷、塑料)。它们在装配、传递、试验、测试、运输及存贮过程中，由于管壳与其它绝缘材料(如包装用的塑料袋、传 递用的塑料容器等)相互磨擦，就会使管壳带电。器件本身作为电容器的一个极板而存贮电荷。CDM 模型就是基于已带电的器件通过管脚与地接触时，发生对地放电引起器件失效而建立的，器件带电模型如下：

　　ESD充电器件模型等效电路图及其ESD等级

　　器件的 ESD 等级一般按以上三种模型测试，大部分 ESD 敏感器件手册上都有器件的 ESD数据，一般给出的是 HBM 和 MM。

　　通过器件的 ESD 数据可以了解器件的 ESD 特性，但要注意，器件的每个管脚的 ESD 特性差异较大，某些管脚的 ESD 电压会特别低，一般来说，高速端口，高阻输入端口，模拟端口 ESD电压会比较低。